射频合成器

作品数:10被引量:3H指数:1
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集成压控晶振的射频合成器
《今日电子》2007年第10期108-108,共1页
STW81103在单片射频合成器中相噪性能最为出色,在1.16GHz下,相噪达到0.27°RMS(均方根);在2.33GHz下,达到0.6°RMS;在4.67GHz下,达到1.5°RMS,频率阶跃200kHz。除高达5GHz的宽频带范围外,因为具有自动中心频率校准功能,...
关键词:压控晶振 合成器 射频 集成 中心频率 RMS 校准功能 宽频带 
National低功耗高系统性能射频合成器LMX248x
《电子元器件应用》2006年第9期131-131,共1页
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)日前推出LMX248x系列高性能、低功耗PLLatinum deltasigma锁相环路器件。这一系列频率合成器芯片均具有非常卓越的假信号抑制能力,可用于提高语音及数据收发系统的信号灵敏...
关键词:频率合成器 系统性能 功耗 SEMICONDUCTOR 美国国家半导体公司 射频 数据收发系统 锁相环路 
美国国家半导体推出低功耗、高系统性能的新一代射频合成器
《电子技术应用》2006年第3期144-144,共1页
关键词:美国国家半导体公司 频率合成器 低功耗 Semiconductor 系统性能 射频 一代 数据收发系统 证券交易所 SIGMA 
TI出新型射频合成器TRF3761
《电子测试(新电子)》2005年第11期101-101,共1页
德州仪器(TI)日前宣布针对无线局端应用推出可保持信号完整件的全新高性能射频(RF)合成器。
关键词:合成器 射频 TI 德州仪器 信号 无线 
德州仪器针对无线局端应用推出新型的射频合成器
《电子与电脑》2005年第11期145-145,共1页
德州仪器(TI)宣布针对无线局端应用推出可保持信号完整性的全新高性能射频(RF)合成器,该款高集成度TRF3761 RF合成器所需板级空间仅为其它模块的1/3,但却能充分满足制造商对成本更低,外形更小巧的基站解决方案的需求。
关键词:德州仪器 合成器 射频 应用 无线 信号完整性 高集成度 制造商 RF 
适用于无线局端应用的射频合成器
《今日电子》2005年第11期88-88,共1页
射频(RF)合成器TRF3761可保持无线局端应用中的信号完整性,无须锁相环(PLL)与压控振荡器(VCO)、缓冲器以及无源电路的定制模块,并提供评估板、软件包与相关文档。
关键词:合成器 射频 应用 无线 锁相环(PLL) 适用 信号完整性 压控振荡器 无源电路 缓冲器 
STW81100:射频合成器
《世界电子元器件》2005年第7期80-80,共1页
意法半导体日前发布了一款带有嵌入式压控振荡器(VCO)的多频带射频合成器STW81100。该器件采用BiCMOS硅锗(SiGe)制造工艺,带有VCO的多频带集成射频合成器,适用于无线通讯与测试设备系统。STW81100具有高性能、高集成度、低功耗、...
关键词:合成器 射频 分立元器件 BICMOS 高集成度 解决方案 间接成本 压控振荡器 意法半导体 
St最新射频合成器集成嵌入式压控振荡器
《现代电子技术》2005年第13期i003-i003,共1页
意法半导体公司(ST)日前发布了一款带有嵌入式压控振荡器(VCO)的多频带射频合成器STW81100。该器件采用BICMOS硅锗(SiGe)制造工艺,有助于大幅减少材料成本和占板面积更小的集成电路。这也是ST开发的内建PLL(锁相环)与VCO的高度集成射...
关键词:压控振荡器 嵌入式 合成器 射频 意法半导体公司 St BICMOS 制造工艺 集成电路 材料成本 解决方案 高度集成 设备系统 无线通讯 多频带 VCO 锁相环 PLL 硅锗 器件 
双波段射频合成器SI4133及其在CDMA直放站中的应用被引量:3
《电子产品世界》2003年第05A期29-31,共3页何业军 朱光喜 沈瑞华 
本文介绍了SI4133双波段射频合成器芯片的性能以及在CDMA直放站中的实际应用。
关键词:射频合成器 SI4133 CDMA 直放站 单片集成电路 无线通信 性能特点 
集成电路
《今日电子》2001年第3期46-49,共4页
适用于3G蜂窝手机的射频合成器 Si4133W双频射频合成器适用于第三代无线通信,能产生最高2.5GHz的射频信号。该CMOS器件包含3个PLL,取消了VCO模块和大约40个外部元件。
关键词:集成电路 射频合成器 USB2.0 以太网控制器 交换机 变换接收器 收发器 运算放大器 
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