深亚微米工艺

作品数：67被引量：63H指数：3
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超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1819-1822,共4页刘必慰 陈书明 梁斌 刘征 
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(批准号:20079998015)~~
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE代码实现.该方法的计算结果与器...
关键词：单粒子瞬态 脉冲注入 辐射效应 
华南理工大学微电子研究所
《Journal of Semiconductors》2006年第12期F0004-F0004,共1页
华理工大学微电子研究所建于2002年，研究所得到华工半导体专业杰出校友刘志宏博士任首席执行官的原美国思略科技公司（Celestry Design Technology,Inc.）捐赠的集成电路与器件建模、模拟和物理分析软件一批，拥有基于深亚微米工艺技...
关键词：华南理工大学 电子研究所 TECHNOLOGY 深亚微米工艺 电路与器件 首席执行官 物理分析 芯片设计 
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