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作品数:28被引量:21H指数:4
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相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>
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相关机构:三星电子株式会社中国科学院宁波大学国防科学技术大学更多>>
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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM被引量:4
《半导体技术》2003年第6期44-48,共5页董素玲 成立 王振宇 高平 
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成...
关键词:0.8μm工艺技术 静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件 输入/输出电路 地址译码器 
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