数据保持

作品数：91被引量：53H指数：4
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多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析被引量：2
《半导体技术》2022年第1期65-69,共5页王宇龙 王明 
四川省科技计划项目(2019YJ0626)。
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温...
关键词：嵌入式非易失性存储器(eNVM) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能 
Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析被引量：2
《半导体技术》2018年第6期468-472,共5页刘远飞 刘海涛 李鹏程 
为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格（代号为A,B和C）的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flash存储器的抗^60Coγ射线总剂量的能力。首先研究了存储器...
关键词：FLASH存储器 总剂量 故障分析 数据保持性能 抗辐照能力 
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
《半导体技术》2011年第6期421-424,共4页杨潇楠 王永 张满红 张博 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB934200);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403)
硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。...
关键词：硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持 
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