数据保持

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一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析
《微电子学》2024年第2期346-350,共5页钟岱山 王美玉 陈志涛 张有志 叶继兴 朱友华 
广东省重点领域研发计划资助项目(2022B0101180001);广东省科学院发展专项资金项目(2021GDASYL-20210301001)。
基于300 mm 0.18μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器...
关键词：一次性可编程存储器 嵌入式非易失性存储器 数据保持寿命 加速老化实验 Arrhenius模型 激活能 
SONOS存储单元数据保持特性退化研究
《微电子学》2023年第6期1104-1108,共5页闫宇泽 刘岐 周泉 李清 俞军 
探讨了基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿进行编程、擦除的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储单元在擦写循环后的数据保持特性。分别通过分析和实验研究了擦写过程中操作电压大小对于VTH(编程)态、VTL(擦除)态存储单元数据保持性能退...
关键词：SONOS 数据保持 退化 
一种用于NAND闪存的奇偶位线块编程补偿算法
《微电子学》2018年第4期500-503,共4页门顶顶 曹华敏 王颀 霍宗亮 
国家自然科学基金资助项目(61474137;61404168)
为改善数据保持干扰和编程干扰对NAND闪存可靠性的影响,提出了一种新的奇偶位线块编程补偿算法。该算法利用编程干扰效应来补偿由数据保持引起的阈值漂移,修复NAND闪存因数据保持产生的误码,提高了NAND闪存的可靠性。将该算法应用于编...
关键词：NAND闪存 数据保持 编程干扰 阈值漂移补偿 可靠性 
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