数字衰减器

作品数：31被引量：58H指数：4
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10.4~28 GHz的超宽带6位数字衰减器设计
《微电子学》2024年第1期85-91,共7页郝欧亚 刘章发 
基于中芯国际40 nm CMOS工艺设计并实现了一种超宽带6位数字衰减器,其工作频率为10.4~28 GHz。该衰减器采用内嵌式开关型结构,6位衰减单元的设计采用T型、桥T型和π型三种拓扑结构。该6位衰减器可以实现0.5 dB的衰减步进,31.5 dB的动态...
关键词：衰减器 CMOS工艺 超宽带 内嵌式开关 插入损耗 
一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器
《微电子学》2022年第6期931-935,共5页秦谋 袁波 陈罡子 李家祎 万天才 
设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器。采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超...
关键词：数字衰减器 CMOS 超宽带 低插入损耗 
一种7~13GHz低插损6位数字衰减器被引量：2
《微电子学》2021年第3期324-329,共6页翟英慧 万晶 林福江 叶甜春 阎跃鹏 梁晓新 
设计了一种基于0.25μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13GHz范围内,...
关键词：数字衰减器 低插入损耗 级联结构 补偿电路 
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