双势垒

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双势垒隧道发光结的结构特点及其性能分析
《固体电子学研究与进展》2008年第1期16-19,共4页王茂祥 聂丽程 张佑文 俞建华 孙承休 
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子存在共振隧穿效应,使双势垒隧道结发光光谱的波长范围及谱峰位置比普通单势垒隧道结均向短波方向发生了...
关键词：隧道发光结 双势垒 共振隧穿 发光光谱 负阻现象 
双势垒量子阱薄膜压阻效应实验研究
《固体电子学研究与进展》2007年第3期290-294,共5页谢斌 薛晨阳 张文栋 张斌珍 
国家自然科学基金项目资助(项目批准号:50405025)
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了AlAs/GaAs双势垒量子阱薄膜结构。介绍了量子阱薄膜在单轴压力作用下的压阻实验,测试出薄膜在压力影响下的I-V曲线,并分析了量子阱薄膜压阻效应的成因。通过实验证实了量子阱薄膜具有较高灵敏度...
关键词：量子阱薄膜 压阻效应 压阻灵敏度 
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