铁磁半导体

作品数：30被引量：17H指数：2
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四面体超晶格中高温铁磁半导体的预测被引量：1
《Science China Materials》2024年第4期1225-1230,共6页王亚奇 孙华胜 吴世海 李盎 万逸 阚二军 黄呈熙 
supported by the Ministry of Science and Technology of the People’s Republic of China (2022YFA1402901);the National Natural Science Foundation of China (NSFC, T2125004, 12274227, and 12004183);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (30921011214);the Funding of Nanjing University of Science & Technology (TSXK2022D002);support from the Tianjing Supercomputer Centre。
铁磁(FM)半导体兼具半导体(如逻辑器件)和磁性材料(如记忆存储器)的优点,半个多世纪以来一直受到广泛关注.然而,铁磁半导体的发展受到候选材料稀缺以及居里温度低的阻碍.铁磁性通常在具有八面体配位的过渡金属化合物中被发现.而具有较...
关键词：过渡金属化合物 高居里温度 自旋电子 晶体场分裂 超晶格 逻辑器件 八面体配位 候选者 
过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂GeSe的高温铁磁半导体薄膜
《Science China Materials》2024年第1期279-288,共10页李德仁 张析 何文杰 彭勇 向钢 
supported by the National Natural Science Foundation of China (52172272)。
具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeS...
关键词：半导体薄膜 多晶薄膜 化学气相沉积法 过渡金属元素 过渡金属掺杂 铁磁半导体 空穴浓度 磁性测量 
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