电化学刻蚀

作品数：72被引量：132H指数：6
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电化学定域性刻蚀多孔InP光波导
《半导体技术》2020年第12期964-968,981,共6页尤明慧 祝煊宇 李雪 董明雪 王勇 曲轶 
国家自然科学基金资助项目(61864002,61774025);海南省自然科学基金资助项目(2018CXTD336);吉林省科技厅重点攻关资助项目(20180201005SF,20190201181J7);装备预研重点项目(6140414010302);吉林省教育厅项目(JKH20191316KJ)。
采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导。使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响。电化学刻蚀过程中...
关键词：多孔InP 电子束光刻 电化学刻蚀 定域性 波导 
基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术被引量：3
《半导体技术》2019年第10期778-782,812,共6页李昂 王伟凡 周桃飞 王建峰 徐科 
国家重点研究计划资助项目(2017YFB0404100)
采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀...
关键词：电化学刻蚀 硝酸钾 GaN纳米孔 横向刻蚀 GaN纳米薄膜(NMS) 
硅基高长径比深孔阵列的制作研究被引量：1
《半导体技术》2013年第1期45-50,共6页杨倩倩 周彬 吕文峰 胡涛朝 张雪 郭金川 
国家自然科学基金项目(11074172;10774102);深圳市科技研发资金重点实验室提升发展项目(CXB201005240011A)
高长径比深孔阵列是微通道板、高分辨率X射线探测器、X射线二维光栅等器件的基本结构。基于制作大面积高长径比的深孔阵列目前仍是微纳制作技术面临的重大挑战。介绍了几种硅基微孔阵列的制作方法并分析了这几种方法的优劣。提出了用光...
关键词：光助电化学刻蚀 长径比 微制作 转换屏 微通道板 高分辨率 
Si深刻蚀光助电化学方法的研究被引量：1
《半导体技术》2010年第6期517-521,共5页雷耀虎 郭金川 赵志刚 牛憨笨 
国家自然科学基金重点项目(60532090);国家自然科学基金面上项目(10774102);广东省高等学校创新团队项目(06CXTD009);深圳市科技计划基础研究项目(JC200903130326A)
光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程...
关键词：光照 电化学刻蚀 扩散 N型硅 
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