电流峰谷比

作品数：7被引量：3H指数：1
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基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件
《科学通报》2011年第36期3054-3056,共3页陈燕 毛陆虹 郭维廉 于欣 张世林 谢生 
国家自然科学基金资助项目(61036002)
介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调...
关键词：∧型负阻器件 CMOS P 型基区层 电流峰谷比 低功耗 
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