电子结构和性质

作品数：12被引量：27H指数：3
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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1040-1043,共4页危书义 马丽 杨宗献 戴宪起 张开明 
河南省自然科学基金资助项目 (批准号 :0 1110 5 1111)~~
用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电...
关键词：化学吸附 钴 硅 低指数单晶面 金属薄膜 
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