总剂量辐射效应

作品数：54被引量：113H指数：5
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相关作者：张正选郭旗李豫东崔江维陈明更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学中国科学院新疆理化技术研究所电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》更多>>
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像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度被引量：5
《光学精密工程》2014年第12期3153-3159,共7页闫劲云 江洁 张广军 
国家自然科学基金资助项目(No.61222304);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(No.20121102110032)
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时,采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明,随着辐照总剂量的增加,...
关键词：像增强型图像传感器 互补金属氧化物半导体(CMOS) 总剂量辐射效应 光响应度 增益补偿 
TDI-CCD总剂量辐射效应及测试被引量：16
《光学精密工程》2009年第12期2924-2930,共7页张立国 李豫东 刘则洵 李宪圣 万志 任建岳 
国家863高技术研究发展计划资助项目(No.86325113B)
为评估空间辐射效应对应用于某空间相机的TDI-CCD的成像性能的影响,从器件的电路结构入手,分析了总剂量辐射效应对器件主要性能指标的影响。针对此器件的总剂量辐照测试方法研制了测试装置。用60Co对器件进行了γ射线总剂量辐照实验,定...
关键词：TDI-CCD 总剂量辐射效应 光电响应 对比度传递函数(CTF) 
SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析被引量：7
《光学精密工程》2009年第4期787-793,共7页李豫东 任建岳 金龙旭 张立国 
国家863高技术研究发展计划资助项目(No.863-2-5-1-13B)
为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，分别对SRAM和ROM两种存储器进行了^40Coγ总剂量辐射实验。结果表明，这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件，失效阈值在10～15krad（Si）之间。实验还表明，研究SRAM、ROM的总剂量...
关键词：SRAM ROM 静态功耗电流 动态功耗电流 总剂量辐射效应 
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