最高振荡频率

作品数：18被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘新宇刘果果魏珂黄俊程伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所南京电子器件研究所北京工业大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家部委预研基金北京市科技新星计划国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微纳电子技术x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
可透基区晶体管的制造和微波性能
《微纳电子技术》1980年第6期43-46,共4页C.O.Bozler 梁春广 
已经制出了具有极高频率性能潜力的新型晶体管。二维数值模拟计算指出,此种晶体管最高振荡频率可达1000千兆赫。此晶体管的独特之点是在 n 型砷化镓单晶内埋置极为精细的钨栅。
关键词：最高振荡频率 器件 晶体管 半导体三极管 基区 肖特基势垒 金属-半导体接触 基极 集电极电流 千兆赫 发射极 
亚毫米波段硅p^+-p-n^+型崩越二极管
《微纳电子技术》1978年第3期41-47,共7页井野正行 蒲运章 
以硅崩越二极管的高频化为目的,利用载流子扩散效应这一点,作出了有利的空穴漂移型二极管。二极管的杂质分布为p^+-p-n^+型结构,它是在n^-硅上用离子注入及热扩散形成n^+外延层。p^+-p-n^+型结构在衬底的一面具有p-n结,比起从前的n^+-p-...
关键词：千兆赫 杂质分布 串联电阻 毫瓦 输出功率 p-n 二极管 最高振荡频率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部