碲镉汞材料

作品数：48被引量：97H指数：6
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试分析MBE生长碲镉汞材料的研究进展
《写真地理》2020年第12期0227-0227,共1页张贺良 
MBE是分子束外延是一种新的晶体生长技术的简称，高性能大面阵中波及短波红外探测器在领域内也随着技术的发展而得到更多的应用。碲镉汞材料的质量及参数控制是当前研究的焦点所在。笔者将以本文对MBE生长碲镉汞材料的研究现状分析讨论...
关键词：分子束外延 MBE生长碲镉汞 应用 现状 
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