离子束溅射沉积

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相关机构:中国科学院深圳大学中国科学院上海光学精密机械研究所云南大学更多>>
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原子轰击调制离子束溅射沉积Ge量子点的生长演变
《物理学报》2012年第21期473-483,共11页熊飞 杨杰 张辉 陈刚 杨培志 
国家自然科学基金云南联合基金(批准号:U1037604);云南省应用基础研究基金(批准号:2009CD003);云南省教育厅科学研究基金重点项目(批准号:09C008);云南大学科研基金(批准号:2009E28Q;2010YBV47)资助的课题~~
采用离子束溅射沉积的方法在Si衬底上生长Ge量子点,观察到量子点的生长随Ge原子层沉积厚度θ的增加经历了两个不同的阶段.当θ在6—10.5个单原子层(ML)范围内时,量子点的平均底宽和平均高度随θ增加同时增大,生长得到高宽比较小的圆顶...
关键词:GE量子点 离子束溅射沉积 表面形貌 表面原子行为 
溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究
《物理学报》2011年第8期711-722,共12页熊飞 潘红星 张辉 杨宇 
云南省应用基础研究基金(批准号:2008CC012;2009CD003);云南省教育厅科学研究基金重点项目(批准号:09C008);云南大学科研基金(批准号:2009E28Q)资助的课题~~
在不同的沉积温度下采用离子束溅射技术,在Si基底上生长得到分布密度高、尺寸单模分布的圆顶形Ge量子点.研究发现:随沉积温度的升高Ge量子点的分布密度增大,尺寸减小,当沉积温度升高到750℃时,溅射沉积15个单原子层厚的Ge原子层,生长得...
关键词:GE量子点 离子束溅射沉积 表面原子行为 混晶界面 
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