量子力学效应

作品数：39被引量：59H指数：5
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相关作者：马玉涛田立林陈立锋章浩张大伟更多>>
相关机构：清华大学中国科学院电子科技大学西安电子科技大学更多>>
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纳米级MOSFET多晶区量子修正解析模型被引量：1
《微电子学》2005年第4期390-393,399,共5页章浩 张大伟 余志平 田立林 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2003AA1Z1370)
利用ISE8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟。结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反。从密度梯度模型,简化得到多晶区量子效应修正,并建立了多晶区内量子效应的集约模型...
关键词：集约模型 纳米级MOSFET 密度梯度模型 多晶耗尽效应 量子力学效应 
亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第3期554-561,共8页张大伟 章浩 朱广平 张雪莲 田立林 余志平 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1370)~~
利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I V模型...
关键词：量子力学效应 弹道输运 体硅MOSFET 集约I-V模型 可延伸性 
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