量子阱混合

作品数：20被引量：12H指数：2
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掺杂、扩散、离子注入工艺
《电子科技文摘》2001年第3期24-24,共1页
Y2000-62422-106 0103753未来应用的注入氧分离薄层=Thin-layer SIMOX forfuture application[会,英]/Anc,M.J.& Dolan,R.P.//1999 IEEE International SOI Conference Proceed-ings.—106～107(EC)Y2000-62422-127 0103754SIMOX 样品...
关键词：光致发光谱 注入工艺 制备条件 氧分离 掺杂 离子注入 氧化层 扩散 薄层 量子阱混合 
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