脉冲产生器

作品数：15被引量：43H指数：3
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基于功率MOSFET的高速高压脉冲产生器被引量：1
《核电子学与探测技术》2014年第7期842-845,共4页杜继业 宋岩 郭明安 宋顾周 马继明 
通过研究功率MOSFET器件的开关特性和脉冲产生技术,设计了互补推挽和集成芯片两种MOSFET栅驱动脉冲电路,其较好的驱动能力,极大的提升了MOSFET的开关速度,分别实现了上升(下降)时间小于5 ns和2.5 ns、输出幅度300~500 V、脉冲宽度5 ns^0...
关键词：高压脉冲 MOSFET 脉冲产生器 驱动电路 
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