脉冲功率晶体管

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相关机构:南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子工业部中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管
《微纳电子技术》2011年第11期697-701,共5页田爱华 潘宏菽 
采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于...
关键词:碳化硅(SiC) 硅(Si) 脉冲功率晶体管 内匹配技术 微波 
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