纳米银胶

作品数：32被引量：133H指数：6
导出分析报告
相关领域：一般工业技术理学更多>>
相关作者：曹雪玲蒋治良郑爱国刘发现王笃金更多>>
相关机构：北京化工大学西安美丽起点生物科技有限公司吉林化工学院广西师范大学更多>>
相关期刊：《应用技术学报》《功能材料》《网印工业》《安徽师范大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
钼铜载体与铝合金外壳的无压纳米银胶低温烧结强度
《半导体技术》2025年第1期95-100,共6页陈澄 尹红波 王成 倪大海 谢璐 曾超林 
纳米银胶的烧结温度一般为250℃及以上,而在功率模块装配过程中,多温度梯度装配工艺要求纳米银胶的烧结温度不得超过217℃。使用800HT2V纳米银胶烧结钼铜载体与铝合金外壳,观察了不同烧结温度下纳米银胶装配后的微观形貌,测试了其装配...
关键词：无压纳米银胶烧结 钼铜载体 铝合金外壳 剪切强度 热导率 可靠性 
基于金刚石/钼铜载体的高功率密度芯片散热方案
《半导体技术》2024年第11期1043-1048,共6页温连健 刘超 董强 
为满足高功率射频微系统的散热需求,提出了一种纳米银胶粘结高导热金刚石载体的高功率密度芯片的散热方案。通过实验对比研究了4种方案(纳米银胶粘结芯片和金刚石载体、金锡焊料烧结芯片和金刚石载体、纳米银胶粘结芯片和钼铜载体及金...
关键词：金刚石 纳米银胶 散热 GaN功率放大器 芯片结温 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部