钝化处理

作品数：272被引量：644H指数：10
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相关领域：金属学及工艺化学工程更多>>
相关作者：刘锋赵颖张晓丹魏军胜王磊更多>>
相关机构：中国科学院中国石油化工股份有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
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p-CZT的钝化处理和C-V特性研究
《半导体光电》2006年第3期306-308,共3页李强 介万奇 付莉 汪晓芹 查刚强 杨戈 
国家自然科学基金重点资助项目(50336040)
采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层。用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在...
关键词：Au/CZT接触 钝化 C-V特性 
钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善被引量：6
《半导体光电》2006年第2期164-166,共3页薛松 韩彦军 罗毅 
国家高技术研究发展计划项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科技计划项目(D0404003040321)
通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理。处理后,LED器件在-5 V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6。X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到...
关键词：氮化镓 LED 钝化 漏电流 XPS 
钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响被引量：4
《半导体光电》2003年第5期312-315,共4页李万万 桑文斌 闵嘉华 郁芳 张斌 王昆黍 
国家自然科学基金资助项目(10175040)
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ...
关键词：CDZNTE晶体 Γ射线探测器 钝化处理 漏电流 
多孔硅表面的Al_2O_3钝化处理被引量：2
《半导体光电》2001年第4期285-288,共4页刘小兵 史向华 
:国家自然科学基金资助项目 (195 2 5 410 )
用Al2 O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理 ,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析 ,指出了Al2
关键词：多孔硅 A12O3膜 钝化 
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