多层布线技术

作品数：15被引量：9H指数：2
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NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术
《微纳电子技术》2007年第3期119-119,共1页
NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。
关键词：多层布线技术 LSI NEC 逻辑 开发 成膜方法 耐久性 工艺 
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