紧束缚近似

作品数：55被引量：66H指数：5
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石墨烯纳米条带的电子输运性质研究(英文)
《固体电子学研究与进展》2013年第1期11-16,共6页闫帅军 肖广然 陈将伟 蔡宇凯 王伟 
国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省高校自然科学基金资助项目(10KJD510005,10KJD510006)
采用紧束缚近似模型,运用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了并联型Armchair型边界的石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着并联纳米条带数量的增加,石墨烯纳米条带电导峰(电导谷)将有相应数量的增加;条带之间的间距增宽,...
关键词：并联型 石墨烯 紧束缚近似 格林函数 输运性质 
生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构
《固体电子学研究与进展》1996年第4期325-330,共6页杨中芹 徐至中 张开明 
采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因...
关键词：紧束缚近似 直接能隙 能带结构 半导体 
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