多模多频

作品数：83被引量：126H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：赖宗声何秀凤张润曦孙永杰任旭更多>>
相关机构：华东师范大学武汉大学东南大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
应用于2G/3G移动通讯的多频多模高谐波抑制功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第6期531-536,共6页郑瑞青 章国豪 
介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915...
关键词：功率放大器 多模多频 谐波抑制 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路 
用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计被引量：5
《固体电子学研究与进展》2014年第1期65-68,100,共5页陈磊 赵鹏 崔杰 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 
提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷（SP8T）天线开关设计，该开关采用绝缘体上硅（SOI）I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am，且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧，实测结果表明，该款开关的插入损耗在0～2...
关键词：绝缘体上硅工艺 单刀八掷开关 插入损耗 隔离度 功率处理能力 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部