快速晶闸管

作品数：43被引量：99H指数：4
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Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
《半导体杂志》1998年第4期30-33,44,共5页裴素华 赵善麒 薛成山 江玉清 孟繁英 
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布...
关键词：阶梯分布 耐压特性 晶闸管 掺杂 
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