快速软恢复

作品数：12被引量：24H指数：3
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快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析
《电子器件》2007年第4期1255-1257,1265,共4页马丽 高勇 刘静 余明斌 
国家自然科学基金资助(50477012);陕西省教育厅专项科研项目资助(05JK268);高等学校博士学科点专项科研基金资助(20050700006)
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触.该结构可大大提高开...
关键词：SIGE/SI异质结 功率二极管 快速软恢复 低漏电流 
一种新型n^-区多层渐变掺杂SiGe/Si功率开关二极管被引量：3
《电子器件》2004年第2期232-235,共4页马丽 高勇 王彩琳 
信息产业部 2 0 0 1年信息产业科研试制项目 (0 1XK6 10 0 12 )
n- 区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+ (SiGe) n- n+ 异质结功率二极管 ,对该新结构的反向恢复特性及正反向I -V特性进行了模拟 ,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析。与n- 区固定掺杂的普通p+ (SiGe) n- n+ 二极管相比 ,...
关键词：SIGE/SI异质结 功率二极管 多层渐变掺杂 快速软恢复 
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