云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 互补金属氧化物半导体工艺

互补金属氧化物半导体工艺: 作品数：24被引量：37H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王志功朱恩王立果吴微赵文虎更多>>; 相关机构：东南大学杭州电子科技大学天津大学电子科技大学更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《光通信研究》《传感器与微系统》《红外与毫米波学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划江西省科技厅青年科学基金更多>>

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用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计: 《光通信研究》2025年第1期52-58,共7页赵婉青夏翼飞李佳徐颂秦马帅哲杨睿煊耿莉李丹; 国家重点研发计划资助项目(2022YFB2803301);国家自然科学基金面上资助项目(62074126)。; 【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立...; 关键词：互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络突发模式跨阻放大器多速率兼容快速建立