单片集成技术

作品数：10被引量：6H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：彭勃张照云苏伟高扬唐彬更多>>
相关机构：电子科技大学华中科技大学中国工程物理研究院电子工程研究所四川众为创通科技有限公司更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》《太赫兹科学与电子信息学报》《半导体光电》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电气时代x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
二合一芯片
《电气时代》2014年第5期42-44,共3页Munaf Rahimo Liutauras Storasta Chiara Corvasce Arnost Kopta 
由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战，因此近年来这一技术仅被用于低功率组件（如IGBT和MOSFET）以及特殊应用。另外，IGCT等大面积双极型器件已经采用了单片集成技术，但其中的IGCT和二：极管需要完全分离...
关键词：二合一 单片集成技术 芯片 开关器件 IGCT IGBT 功率组件 二极管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部