新型开关

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日本松下新型开关IC首次采用GaN晶体管
《半导体信息》2004年第1期21-21,共1页程文芳 
据中国电子材料网报导,日本松下电器产业公司在全世界首次通过集成GaN(氮化镓)系晶体管,试制成功了开关IC。将可处理信号功率提高到40w。而过去的GaAs(砷化镓)开关IC最大则为4W。此次开发的开关IC是利用将GaN异质结(Hetero Junction)
关键词：日本松下 GaN IC 松下电器产业 新型开关 电子材料 异质结 电阻材料 信号功率 芯片集成 
M/A—Com开发出高功率开关和发射组件
《半导体信息》2003年第6期32-32,共1页陈裕权 
M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm...
关键词：功率开关 Com M/A 新型开关 无源网络 双波段 栅长 PHEMT 工艺制作 
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