激子结合能

作品数：40被引量：66H指数：5
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GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度被引量：10
《半导体光电》2001年第3期173-176,共4页顾海涛 熊贵光 
武汉市科委计划项目!(99110 9188)
采用变分法 ,计算了GaN基量子阱中激子结合能和激子光跃迁强度。计算结果表明 ,GaN基量子阱中激子结合能为 10～ 55meV ,大于体材料中激子结合能 ,并随着阱宽减小而增加 ,在临界阱宽处达到最大。结间带阶同样对激子结合能有着较大的影...
关键词：量子阱 激光结合能 激子 光跃迁强度 半导体材料 氮化镓 
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