顾海涛

作品数：3被引量：13H指数：2
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供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：半导体材料激子氮化镓激子结合能INGAN/GAN更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《武汉大学学报（理学版）》《光学与光电技术》更多>>
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GaN基量子点结构的喇曼特征被引量：1
《光学与光电技术》2003年第1期38-40,共3页顾海涛 熊贵光 
武汉市科委国际合作项目(批准号:017010121)
采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析。在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量了点结构的E_2和A_1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移。
关键词：量子点 喇曼频移 微扰理论 
InGaN/GaN量子阱动力学特征分析被引量：4
《武汉大学学报（理学版）》2001年第3期327-330,共4页刘志国 顾海涛 姚端正 
武汉市科委资助项目 ( 99110 9188)
采用单量子阱近似模型 ,对 In Ga N/ Ga N量子阱中的激子和电子在导带子带间跃迁的光吸收效应进行了理论分析和数值计算 .结果表明 ,In的含量对激子的能量影响较大 ,而量子阱宽度的变化也对激子的能量有着微调作用 ;导带中电子从基态至...
关键词：INGAN/GAN 量子阱 单量子阱近似模型 激子 半导体材料 光吸收效应 跃迁 
GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度被引量：10
《半导体光电》2001年第3期173-176,共4页顾海涛 熊贵光 
武汉市科委计划项目!(99110 9188)
采用变分法 ,计算了GaN基量子阱中激子结合能和激子光跃迁强度。计算结果表明 ,GaN基量子阱中激子结合能为 10～ 55meV ,大于体材料中激子结合能 ,并随着阱宽减小而增加 ,在临界阱宽处达到最大。结间带阶同样对激子结合能有着较大的影...
关键词：量子阱 激光结合能 激子 光跃迁强度 半导体材料 氮化镓 
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