刘志国

作品数：1被引量：4H指数：1
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InGaN/GaN量子阱动力学特征分析被引量：4
《武汉大学学报（理学版）》2001年第3期327-330,共4页刘志国 顾海涛 姚端正 
武汉市科委资助项目 ( 99110 9188)
采用单量子阱近似模型 ,对 In Ga N/ Ga N量子阱中的激子和电子在导带子带间跃迁的光吸收效应进行了理论分析和数值计算 .结果表明 ,In的含量对激子的能量影响较大 ,而量子阱宽度的变化也对激子的能量有着微调作用 ;导带中电子从基态至...
关键词：INGAN/GAN 量子阱 单量子阱近似模型 激子 半导体材料 光吸收效应 跃迁 
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