键合点

作品数：22被引量：28H指数：4
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芯片引线键合点失效的俄歇电子能谱分析被引量：1
《材料研究与应用》2013年第3期205-207,共3页蔺娴 李雨辰 
采用俄歇电子能谱法(AES),对某芯片的正常引线键合点和失效引线键合点进行了分析.实验结果表明:失效引线键合点表面出现了Cl元素,其失效原因是在键合点处形成的氯化物腐蚀键合点,导致键合点失效;溅射20min后,键合点内发生Ni金属的迁移,...
关键词：AES 深度剖析 芯片 键合点 
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