固相外延生长

作品数：9被引量：6H指数：1
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镍增进无定形硅低温固相外延生长
《核技术》1997年第2期79-82,共4页曹德新 朱德彰 朱福英 曹建清 
国家自然科学基金
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级...
关键词：固相外延生长 镍注入 无定形层 半导体 
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