固相外延生长

作品数：9被引量：6H指数：1
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Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
《微纳电子技术》2011年第12期797-801,共5页徐文婷 肖清华 常青 屠海令 
国家自然科学基金资助项目(60706001);国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质...
关键词：SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷 
Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第1期63-67,共5页屈新萍 徐蓓蕾 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 
国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委资助;上海教育发展基金会曙光计划;中国教育部博士点基金;国家科委-比利时弗兰德合作资助项目~~
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经...
关键词：固相反应 固相外延 金属硅化物 二硅化钴 中间层诱导 
Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：3
《Journal of Semiconductors》2002年第6期604-608,共5页胡冬枝 赵登涛 蒋伟荣 施斌 顾骁骁 张翔九 蒋最敏 
研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长...
关键词：外延生长 量子点 固相外延 锗 硅斜切衬底 
材料制备工艺
《电子科技文摘》1999年第4期43-44,共2页
9904617横向固相外延生长及其影响因素的研究[刊]/罗南林 //半导体技术.—1998,23(5).—51～53(DC)9904618SiC 晶体生长和应用[刊]/邓志杰//半导体技术.—1998,23(5).—13～17(DC)
关键词：制备工艺 半导体技术 固相外延生长 晶体生长 影响因素 材料 应用 研究进展 薄膜 纳米微晶 
Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性
《发光学报》1999年第1期60-64,共5页于卓 余金中 成步文 雷震霖 李代宗 王启明 梁骏吾 
采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔ．％的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金，并对合金的质量及特性进行了测试分析．采用多重离子注入的方法，并利用ＳｉＯ２做缓冲层，能够获得满意的Ｃ离子分布．小束流、长时间的...
关键词：硅碳合金 半导体 离子注入 固相外延 晶体质量 
横向固相外延生长及其影响因素的研究被引量：1
《半导体技术》1998年第5期51-53,共3页罗南林 杨春晖 刘百勇 
对非超高真空条件下在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。
关键词：固相外延 绝缘层上硅单晶 溅射 二氧化硅 
镍增进无定形硅低温固相外延生长
《核技术》1997年第2期79-82,共4页曹德新 朱德彰 朱福英 曹建清 
国家自然科学基金
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级...
关键词：固相外延生长 镍注入 无定形层 半导体 
固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期305-312,共8页房华 李炳宗 吴卫军 邵凯 姜国宝 顾志光 黄维宁 刘平 周祖尧 朱剑豪 
国家自然科学基金
通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入...
关键词：CoSi薄膜 固相外延生长 n+p结 半导体材料 
在SrTiO3和MgO衬底上固相外延生长Pb（Zr,Ti）O3薄膜
《电子材料快报》1995年第8期6-7,共2页青春 
关键词：SRTIO3 MGO 固相外延生长 铁电薄膜 
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