硅栅器件

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硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究
《半导体技术》1997年第4期22-25,共4页赵元富 
详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主...
关键词：场氧 电离辐射 硅栅器件 CMOS 集成电路 
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