硅栅器件

作品数：6被引量：3H指数：1
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Al:Ti合金栅a-Si TFT研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第10期771-775,共5页熊绍珍 赵颖 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 
国家自然科学基金;天津市青年基金!(69577011)
本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐...
关键词：半导体 铝钛合金栅 硅栅器件 α-硅 TFT 
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