红外焦平面技术

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红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术
《物理》1994年第3期167-171,共5页魏同立 郑茳 吴金 
由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。
关键词：红外探测器 焦平面阵列 锗化硅 
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