红外焦平面器件

作品数：66被引量：343H指数：11
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InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法
《表面技术》2006年第5期36-36,共1页
本发明公开了一种InSp红外焦平面器件减反射膜低温淀积方法及其专用金属掩模架。其方法为淀积温度1000C～105℃，Sill。流量5．8～6．2sccm，N2O流量88～95sccm，腔体压强600～610mτ，淀积时间80min。其效果使得InSb芯片的反射率在3．7...
关键词：红外焦平面器件 低温淀积 减反射膜 INSB 列阵器件 CMOS读出电路 氧化硅膜 工作波段 
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