反射敷层

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半导体器件
《电子科技文摘》2000年第10期22-23,共2页
Y2000-62067-457 0016163高击穿、高线性 Ga0.51In0.49P/In0.15Ga0.85As 伪表面高电子迁移率晶体管=High-breakdown and high-lin-earity Ga0.51 In0.49P/In0....
关键词：半导体器件 高电子迁移率晶体管 反射敷层 光电二极管 离子通道 击穿 优化 线性 会议录 微波器件 
电磁波吸收材料和吸收体机理分析
《华东工学院学报》1992年第4期78-81,共4页马广德 
该文指出电磁波吸材料和电磁波吸收体是二种不同的概念。分别讨论了它们的工作机理及描述其性能的物理量。电磁波吸收材料通常分为二类,一类是电损型材料,另一类是磁损型材料。一般来讲,电磁波吸收材料本身并不能吸收入射的电磁波而不...
关键词：电磁波 吸收体 反射敷层 吸收材料 
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