云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 反向漏电流

反向漏电流: 作品数：69被引量：60H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张玉明陈伟元张波叶志镇汤晓燕更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学浙江大学微电子有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市科学技术委员会资助项目更多>>

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1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1: 《半导体技术》2018年第4期266-273,共8页汤益丹李诚瞻史晶晶白云董升旭彭朝阳王弋宇刘新宇; 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601); 基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提...; 关键词：SiC结势垒肖特基(JBS)二极管高温大电流密度反向漏电流可靠性试验

基于低压CMOS工艺的新型负电压型电荷泵电路: 《半导体技术》2016年第12期894-898,共5页罗志聪黄世震叶大鹏; 教育部留学回国人员启动项目(jyblxjj02);福建省中青年教师教育科研项目(JAT160156); 采用UMC 0.18μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路。介绍了几种典型的负电压型电荷泵电路,比较其优缺点,在此基础上设计了一个新型4级交叉耦合型负电压电荷泵。和现有的结构相比,该...; 关键词：电荷泵负电压反向漏电流功率效率纹波

LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究被引量：2: 《半导体技术》2012年第11期894-899,共6页涂辛雅季军郑益民潘建根; 为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为...; 关键词：静电放电机器模式人体模式发光二极管反向漏电流光通量

LED受ESD冲击前后性能的变化分析被引量：3: 《半导体技术》2010年第10期957-960,共4页陆海泉李抒智杨卫桥严伟; 上海市科委资助项目(09DZ1141504); 对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同...; 关键词：GAN基蓝光LED 静电放电 I-V特性反向漏电流光色电特性加速老化实验

减小汽车整流二极管反向漏电流的工艺探讨: 《半导体技术》1989年第2期21-23,共3页高玉民朱初杨; 本文分析了汽车整流二极管反向特性差的原因,采用适当配比的HF-HNO_3混合液腐蚀的方法达到了合理的表面造型,并用液相钝化技术使二极管的反向特性得到明显改善.; 关键词：整流二极管反向漏电流汽车工艺

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