汤益丹

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：碳化硅衬底微波等离子体含氧气体肖特基接触更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺化学工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《电工电能新技术》《微纳电子技术》更多>>
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槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究被引量：1
《微电子学》2022年第3期466-472,共7页成国栋 陆江 翟露青 白云 田晓丽 左欣欣 杨成樾 汤益丹 陈宏 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)。
利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。...
关键词：碳化硅场效应晶体管 单粒子效应 槽栅型结构 电热反馈 
4H-SiC沟槽结势垒二极管研制
《电工电能新技术》2018年第10期22-26,38,共6页汤益丹 董升旭 杨成樾 郭心宇 白云 
国家重点研发计划项目(2016YFB0100601)
优化设计了1200V 4H-SiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过...
关键词：4H-SIC 沟槽结势垒二极管 主结 耐压特性 
不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析
《微纳电子技术》2018年第9期625-629,670,共6页董升旭 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压（I-V）及电容-电压（CV）测试,运用Tung理论模型和＂T0反常＂中的T0值评价势垒不均匀程度,X...
关键词：4H-SIC 肖特基接触 X射线衍射(XRD) 势垒不均匀 退火温度 
不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析
《半导体技术》2018年第7期523-528,共6页董升旭 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体（MIS）结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得...
关键词：4H-SIC 肖特基接触 X射线光电子能谱(XPS) 退火温度 测试温度 界面态密度 
1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1
《半导体技术》2018年第4期266-273,共8页汤益丹 李诚瞻 史晶晶 白云 董升旭 彭朝阳 王弋宇 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提...
关键词：SiC结势垒肖特基(JBS)二极管 高温 大电流密度 反向漏电流 可靠性试验 
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