陈宏

作品数：9被引量：12H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：碳化硅衬底SIC沟槽源极更多>>
发文领域：电子电信电气工程化学工程理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《电子学报》《电工电能新技术》更多>>
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SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究被引量：2
《电源学报》2024年第1期147-152,共6页刘建君 陈宏 丁杰钦 白云 郝继龙 韩忠霖 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)。
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最...
关键词：SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏 
槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究被引量：1
《微电子学》2022年第3期466-472,共7页成国栋 陆江 翟露青 白云 田晓丽 左欣欣 杨成樾 汤益丹 陈宏 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)。
利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。...
关键词：碳化硅场效应晶体管 单粒子效应 槽栅型结构 电热反馈 
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
《半导体技术》2021年第11期861-865,共5页杨燎 陈宏 郑昌伟 白云 杨成樾 
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真...
关键词：碳化硅(SiC) 光控晶闸管(LTT) 脉冲开关 击穿电压 电流变化率(di/dt) 
1200V大容量SiC MOSFET器件研制被引量：6
《电子学报》2020年第12期2313-2318,共6页刘新宇 李诚瞻 罗烨辉 陈宏 高秀秀 白云 
国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302)。
采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面...
关键词：碳化硅 MOSFET 栅极bus-bar JFET注入 大容量器件 低漏电 高温半导体 
平面栅SiC MOSFET设计研究被引量：2
《电源学报》2020年第4期4-9,共6页韩忠霖 白云 陈宏 杨成樾 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB1200902)。
碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔。平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件。在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标。基于自主研制的1200 V及1700 V SiC MOSF...
关键词：碳化硅 平面栅MOSFET 导通电阻 载流子扩展层 JFET注入 
3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究被引量：2
《电源学报》2020年第4期10-14,共5页陈宏 白云 陈喜明 李诚瞻 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB1200902)。
碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电...
关键词：3300V SiC MOSFET 高温栅偏 栅氧 可靠性 
基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究
《电工电能新技术》2018年第10期17-21,共5页宋瓘 白云 顾航 陈宏 谭犇 杜丽霞 
国家重点研发计划项目(2016YFB0100601)
提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器...
关键词：4H-SIC MOSFET CIMOSFET 比导通电阻 栅氧化层电场 
不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析
《微纳电子技术》2018年第9期625-629,670,共6页董升旭 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压（I-V）及电容-电压（CV）测试,运用Tung理论模型和＂T0反常＂中的T0值评价势垒不均匀程度,X...
关键词：4H-SIC 肖特基接触 X射线衍射(XRD) 势垒不均匀 退火温度 
不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析
《半导体技术》2018年第7期523-528,共6页董升旭 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601)
为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体（MIS）结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得...
关键词：4H-SIC 肖特基接触 X射线光电子能谱(XPS) 退火温度 测试温度 界面态密度 
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