非均匀退磁场

作品数：2被引量：3H指数：1
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非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响被引量：2
《功能材料与器件学报》2007年第5期449-452,共4页张辉 滕蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾 
国家自然科学基金(No.50471093);国防基础科研项目(No.A1420060203)
采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件。测量了NiFe元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明...
关键词：各向异性磁电阻 AMR元件 非均匀退磁场 
NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性被引量：1
《金属学报》2007年第6期599-602,共4页张辉 滕蛟 于广华 吴杏芳 朱逢吾 
国家自然科学基金项目50471093;国防基础科研项目A1420060203资助~~
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算...
关键词：NiFe膜 各向异性磁电阻(AMR) AMR元件 非均匀退磁场 磁化反转 
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