复配缓蚀剂

作品数：104被引量：423H指数：11
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集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展
《半导体技术》2025年第1期1-9,共9页武峥 牛新环 何潮 董常鑫 李鑫杰 胡槟 李佳辉 
国家重点研发计划(2023YFB3507100);国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009);河北省专业学位精品案例库建设项目(KCJPZ2023007)。
在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了...
关键词：缓蚀剂 表面活性剂 化学机械抛光(CMP) 协同作用 金属腐蚀抑制 
PVP与TAZ复配对Cu CMP的吸附缓蚀被引量：2
《半导体技术》2023年第4期308-317,共10页马忠臣 孙鸣 李梦琦 杨雪妍 齐美玲 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037)。
采用电化学方法、表面表征和量子化学计算研究了在碱性抛光液中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与1,2,4-三氮唑(TAZ)复配对Cu表面的缓蚀性能,探讨了原子尺度的吸附缓蚀机理。研究表明,PVP与TAZ复配较单独使用具有更好的缓蚀性能,且吸附方式均服从La...
关键词：复配缓蚀剂 粗糙度 去除速率 吸附 化学机械抛光(CMP) 密度泛函理论 
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