Γ灵敏度

作品数：16被引量：34H指数：3
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相关作者：胡孟春彭太平欧阳晓平杨高照周刚更多>>
相关机构：中国工程物理研究院西北核技术研究所中国工程物理研究院电子工程研究所清华大学更多>>
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电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响
《核电子学与探测技术》2006年第6期739-741,共3页杨建伦 李如荣 徐荣昆 杨高照 钟耀华 李林波 王真 
中国工程物理研究院科学技术预研基金资助(20030209)
通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用。数值模拟研究主要利用MCNP程序对γ射线在PIN探测器灵敏层中的能量沉积进行数值计算,得到探测器输出的脉冲幅度谱和...
关键词：PIN探测器 Γ灵敏度 电子逃逸 
φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量被引量：10
《核电子学与探测技术》2002年第4期338-340,共3页胡孟春 叶文英 周殿忠 
中国工程物理研究院 J0 9专项课题资助
φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计算表...
关键词：硅PNI探测器 Γ灵敏度 时间响应 测量 半导体探测器 钴60 
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