雪崩光电探测器

作品数:47被引量:96H指数:5
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:江灏杨晓红李健张明江张建忠更多>>
相关机构:中国科学院南京大学中山大学武汉光谷信息光电子创新中心有限公司更多>>
相关期刊:《光学学报》《红外与激光工程》《激光与红外》《通信世界》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金高等学校优秀青年人才基金项目更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=半导体光电x
条 记 录,以下是1-3
视图:
排序:
雪崩光电探测器的击穿效应模型分析被引量:1
《半导体光电》2023年第4期493-497,共5页李冲 杨帅 刘玥雯 徐港 关锴 李占杰 李巍泽 刘云飞 
北京市自然科学基金项目(4202008)。
基于CMOS工艺制备了空穴触发的Si基雪崩探测器(APD),基于不同工作温度下器件的击穿特性,建立空穴触发的雪崩器件的击穿效应模型。根据雪崩击穿模型和击穿电压测试结果,拟合曲线得到击穿电场与温度的关系参数(dE/dT),器件在250~320 K区间...
关键词:硅基雪崩探测器 击穿电压 温度系数 击穿模型 
硅基雪崩光电探测器倍增层掺杂的研究被引量:2
《半导体光电》2014年第6期973-976,共4页崔文凯 武华 马云飞 周弘毅 郭霞 
国家自然科学基金项目(61222501;61335004);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20111103110019)
硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱响应度等特性的影响。在硼的注入剂量由5.0×1012 cm-2减小为2.5×1012cm-2时,倍增层内电场强度逐渐降低...
关键词:SI APD 拉通 雪崩击穿电压 光谱响应 
基于等效电路模型的雪崩光电探测器特性分析被引量:2
《半导体光电》2011年第3期336-338,355,共4页许文彪 陈福深 陈苗 肖勇 
为了精确模拟雪崩光电探测器(APD)的特性,提出了一种APD等效电路模型。文中首先从APD载流子速率方程出发,同时考虑芯片寄生参量和封装寄生参量的影响,得到了APD的等效电路模型,进而基于该电路模型在PSpice软件中分析了APD的光脉冲响应...
关键词:雪崩光电探测器 等效电路模型 载流子速率方程 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部