半导体薄膜材料

作品数：23被引量：21H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：雷岩董鑫郑直张源涛张宝林更多>>
相关机构：中国科学院吉林大学华中科技大学许昌学院更多>>
相关期刊：《薄膜科学与技术》《新材料产业》《大自然探索》《磁性材料及器件》更多>>
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掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法
《磁性材料及器件》2006年第2期54-54,共1页
掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰在硅中的含量为1-10mol％。其厚度为1～10000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：采用硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成含锰量为1～10％、厚度为1～10μm的硅薄膜，然后在温度为900～1...
关键词：半导体薄膜材料 铁磁性 硅基 掺锰 制法 磁转变温度 半导体性能 半导体特性 电传输特性 气氛条件 
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