半导体掺杂

作品数：29被引量：23H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李泽宏张波任敏谢驰杨洋更多>>
相关机构：电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司吉林大学日立金属株式会社更多>>
相关期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电子科技文摘》《光机电信息》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金海南省自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=超硬材料工程x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
立方氮化硼膜的研究进展与应用(下)被引量：2
《超硬材料工程》2015年第5期49-52,共4页殷红 赵艳 
立方氮化硼(c-BN)是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带(Eg=6.4eV)多功能材料,因其在机械、电子、物理化学等方面独特的性质,高品质c-BN薄膜、厚膜以及外延生长一直是材料科学等领域的研究热点和难点之一。文章对国内外c-BN薄...
关键词：立方氮化硼 外延生长 综述 刀具涂层 半导体掺杂 表面功能化 
立方氮化硼膜的研究进展与应用(上)
《超硬材料工程》2015年第4期43-47,共5页殷红 赵艳 
立方氮化硼(c-BN)是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带(Eg=6.4eV)多功能材料,因其在机械、电子、物理化学等方面独特的性质,高品质c-BN薄膜、厚膜以及外延生长一直是材料科学等领域的研究热点和难点之一。文章对国内外c-BN薄...
关键词：立方氮化硼 外延生长 综述 刀具涂层 半导体掺杂 表面功能化 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部