半导体掺杂

作品数：29被引量：23H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李泽宏张波任敏谢驰杨洋更多>>
相关机构：电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司吉林大学日立金属株式会社更多>>
相关期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电子科技文摘》《光机电信息》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金海南省自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
锑化铟半导体掺杂硫元素的能带结构、态密度以及光学性质研究
《成都信息工程大学学报》2025年第1期107-110,共4页韩玉娇 沈艳红 虞游 邓江 盛佳南 
四川省自然科学基金资助项目(2022NSFSC1796、2023ZHCG0047)。
使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,...
关键词：锑化铟 第一性原理 掺杂 电子性质 光学性质 
Sb掺杂Li_(2)SnO_(3)增加氧化电势提升2,4-DCP光催化降解的研究
《化学研究与应用》2024年第4期816-823,共8页洪传冰 赖寒 代朋 姜文 陈姚宇 王熙 李雷 张涛 
重庆市自然科学基金面上项目(cstc2021jcyj-msxmX1158)资助;重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJZD-K202301605)资助;重庆第二师范学院大学生科研项目(KY20230041)资助;重庆第二师范学院大学生创业孵化项目(ZC202215)资助;重庆第二师范学院大学生创新创业训练项目(S202314388016)资助。
本文通过固相法制备Sb掺杂Li_(2)SnO_(3)光催化剂并将其用于光催化降解2,4-DCP。通过粉末X射线多晶衍射技术(PXRD)、高分辨透射电镜(TEM)及扫描电镜(SEM)对合成的光催化剂分别进行了物相结构和表面形貌表征。光催化实验表明,Sb掺杂之后...
关键词：无机非金属材料 半导体掺杂 Li_(2)SnO_(3) 光催化 2 4-DCP 
In掺杂GaAs材料体系电子结构第一性原理研究
《现代应用物理》2023年第1期194-199,共6页王兴鸿 蔡星会 王祖军 熊庆 王冰 黄港 聂栩 赖善坤 唐宁 晏石兴 李传洲 
国家自然科学基金资助项目(U2167208,11875223);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803,SKLIPR2012,SKLIPR2113)。
基于密度泛函理论的第一性原理计算得到了本征GaAs和In掺杂GaAs的能带结构和电子态密度。通过对比分析体心掺杂和面心掺杂两种掺杂方式的InGaAs电子结构,得到了不同掺杂方式对InGaAs材料性质的影响规律。研究结果表明,两种In掺杂材料体...
关键词：第一性原理 半导体掺杂 电子结构 模拟计算 
半导体掺杂促进塑料可光降解性能的研究进展被引量：5
《应用化工》2020年第5期1274-1277,1283,共5页张妍 吴迪 李晨 张大帅 孙天一 张小朋 张苏敏 李天略 史载锋 林强 
国家自然科学基金青年基金项目(21601043);海南省重点研发项目(ZDYF2017011);海南省重大科技计划项目(ZDKJ2016022,ZDKJ2016022-02,2017048);海南省自然科学基金(217101)。
综述了近几年来半导体掺杂促进塑料可光降解性能的研究进展,将半导体光催化剂与高分子聚合物混合制成可光催化降解的复合材料一直是研究的热点,可有效解决废弃塑料对环境污染问题。同时,提出目前研究主要存在的问题并对未来的研究作出...
关键词：半导体 塑料 可光降解 
Nb掺杂浓度对SrTiO_3的电子结构和光学性能的影响（英文）被引量：1
《材料科学与工程学报》2017年第2期209-214,共6页武松 闫金良 焦淑娟 
supported by the National Natural Science Foundation of China(11504155);the Natural Science Foundation of Shandong Province,China(ZR2016FM38)
用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO_3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO_3的形成焓、电子结构和光学性能的影响。在Nb掺杂SrTiO_3中Nb替位Ti原子,与实验结果一致。Nb掺杂SrTiO_3的费米能级进入导带底部,Nb掺杂SrTiO_3呈现n型半导...
关键词：半导体掺杂 电学性能 光学性能 电子结构 
立方氮化硼膜的研究进展与应用(下)被引量：2
《超硬材料工程》2015年第5期49-52,共4页殷红 赵艳 
立方氮化硼(c-BN)是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带(Eg=6.4eV)多功能材料,因其在机械、电子、物理化学等方面独特的性质,高品质c-BN薄膜、厚膜以及外延生长一直是材料科学等领域的研究热点和难点之一。文章对国内外c-BN薄...
关键词：立方氮化硼 外延生长 综述 刀具涂层 半导体掺杂 表面功能化 
韩开发出石墨烯合成新方法
《功能材料信息》2015年第4期58-59,共2页
最近,韩国研究人员开发出一种与微电子兼容的方法来生长石墨烯,在硅基底上成功合成了晶片级(直径4英寸)的高质量多层石墨烯。该方法基于一种离子注入技术,简单而且可升级。这一成果使石墨烯离商业应用更近一步。相关论文发表在本周的《...
关键词：石墨烯 微电子器件 离子注入技术 应用物理 硅基底 微电子设备 制造方法 智贤 半导体掺杂 高丽大学 
立方氮化硼膜的研究进展与应用(上)
《超硬材料工程》2015年第4期43-47,共5页殷红 赵艳 
立方氮化硼(c-BN)是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带(Eg=6.4eV)多功能材料,因其在机械、电子、物理化学等方面独特的性质,高品质c-BN薄膜、厚膜以及外延生长一直是材料科学等领域的研究热点和难点之一。文章对国内外c-BN薄...
关键词：立方氮化硼 外延生长 综述 刀具涂层 半导体掺杂 表面功能化 
Sr-F共掺杂的SnO_2基透明导电薄膜被引量：7
《发光学报》2015年第7期829-833,共5页吴绍航 张楠 郭晓阳 蒋大鹏 刘星元 
国家自然科学基金(51102228;61106057);吉林省科技发展计划(20140520119J)资助项目
利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2(SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380~2500nm波段的平均透过率大于85%,功函数约为5.10eV。SFTO透明导电薄...
关键词：透明导电薄膜 无铟 SNO2 半导体掺杂 
Lu3＋掺杂对CdO陶瓷电、热输运性能的影响
《物理学报》2014年第17期337-341,共5页董国义 李龙江 吕青 王淑芳 戴守愚 王江龙 傅光生 
国家自然科学基金(批准号:51372064);河北省杰出青年科学基金(批准号:2013201249);河北自然科学基金(批准号:A2014201176)资助的课题~~
利用传统固相烧结法制备了Cd1-xLuxO(x=0%,0.1%,0.5%,0.75%,1.0%,1.25%,1.5%,2%)陶瓷样品并研究了Lu3+掺杂对其电、热输运性能的影响.随着Lu3+掺杂浓度的增大,Cd1-xLuxO样品的室温载流子浓度持续增大而其迁移率表现出先增大后减小的趋势...
关键词：CdO陶瓷 电 热输运 半导体掺杂 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部